Samsung SSD 990 EVO Plus 4TB, M.2 2280 / M-Key / PCIe 4.0 x4 (MZ-V9S4T0BW / MZ-V9S4T0B)

  • Kapazität 4TB (entspricht ca. 3725.29GiB bzw. 3.64TiB, weiterführende Informationen)
  • Bauform Solid State Module (SSM)
  • Formfaktor M.2 2280
  • Schnittstelle M.2/​M-Key (PCIe 4.0 x4) oder M.2/​M-Key (PCIe 5.0 x2)
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Artikelnr. 118305 Kategorie

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Rasant durch deinen Tag
Erledige deine Aufgaben im Handumdrehen. Die 990 EVO Plus mit aktuellem NAND-Flash-Speicher bietet sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Große Dateien, schnell übertagen.

Mit cooler Power durch den Tag
Viel Effizienz für hohe Performance. Der nickelbeschichtete Controller erhöht die MB/s pro Watt im Vergleich zur 990 EVO um bis zu 73% und erreicht die gleiche Leistung und Wärmekontrolle bei weniger Stromverbrauch. Fokussiere dich ganz auf deine Arbeit oder dein Gaming, ohne dir Gedanken um Überhitzung oder die Akkulaufzeit machen zu müssen.

Viel Platz. Viel Geschwindigkeit.
Nutze die volle Leistung deines Laufwerks mit intelligentem TurboWrite 2.0. Verarbeite schnell große Datenmengen und bewältige anspruchsvolle Grafiken mit einem großen TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von bis zu 4 TB erhältlich ist.

Samsung Magician Software
Moderne Laufwerksverwaltung wie von Zauberhand – mit der Samsung Magician Software. Die benutzerfreundliche Software-Lösung kann dir dabei helfen, immer ein Auge auf deine SSD zu haben. Damit kannst du dein Laufwerk mit Updates auf dem neusten Stand halten, Statusparameter und Geschwindigkeit überwachen und auch die Leistungsfähigkeit anpassen.
 
Es wird empfohlen, die Firmware deiner Samsung SSDs immer auf die neueste Version zu aktualisieren.

Moderne Technologie mit Leben füllen
Seit Jahrzehnten ist der Samsung NAND-Flash-Speicher ein Motor für moderne Technologien, die unser tägliches Leben verändert haben. Die NAND-Flash-Technologie treibt unsere SSDs an und schafft Raum für den nächsten Schub moderner Technologie.

Leistung
Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s. Damit bis zu 45% schneller als die 990 EVO.

Energieeffizienz
Um bis zu 73% höhere Energieeffizienz im Vergleich zur 990 EVO für mehr MB/s pro Watt bei konstanter Leistung und Wärmekontrolle.

Vielseitigkeit
Hohe Kapazität von bis zu 4 TB und schnelles intelligentes TurboWrite 2.0 mit vergrößertem TurboWrite-Bereich.

Bulletpoints
  • Geeignet für leistungsstarke PCs, schlanke Laptops und Spielekonsolen
  • Kompatibel mit PCIe® 4.0 x4 und PCIe® 5.0 x2
  • Schnell: Sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250 / 6.300 MB/s
  • Effizient: Um 73% pro Watt verbesserte Leistung gegenüber der 990 EVO
  • Konstant: Smartes Temperatur-Management für durchgängig hohe Leistung
  • Zuverlässig: 5 Jahre eingeschränkte Herstellergarantie
Kapazität

4TB (entspricht ca. 3725.29GiB bzw. 3.64TiB, weiterführende Informationen)

Bauform

Solid State Module (SSM)

Formfaktor

M.2 2280

Schnittstelle

M.2/​M-Key (PCIe 4.0 x4) oder M.2/​M-Key (PCIe 5.0 x2)

Lesen

7250MB/​s

Schreiben

6300MB/​s

IOPS 4K

1050k lesend, 1400k schreibend

Speichermodule

3D-NAND TLC, Samsung, 236 Layer (V-NAND v8)

TBW

2.4PB (entspricht 600TB pro TB Kapazität)

Zuverlässigkeitsprognose

1.5 Mio. Stunden (MTBF)

Controller

Samsung Piccolo/​S4LY022, 4 Kanäle

DRAM-Cache

nein

Protokoll

NVMe 2.0

Datenschutzfunktionen

256bit AES, TCG Opal 2.0, Microsoft eDrive

Leistungsaufnahme

5.5W (Betrieb), 60mW (Leerlauf), 5mW (Schlafmodus)

Abmessungen

80.15×22.15×2.38mm (ohne Kühlkörper)

Besonderheiten

L1.2 Low-Power-Standby

Garantie

5 Jahre (oder bis Erreichen der TBW)

Hersteller

Samsung

MPN

MZ-V9S4T0BW

EAN

8806095575667

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